Gaudenzio Meneghesso (IEEE S’95–M’97–SM’07- F’13)1992 Laureato in Ingegneria Elettronica a pieni voti1997 Ha conseguito il Titolo di dottore di ricerca in Ingegneria Elettronica e delle Tlc.1998 Ricercatore del SSD K01X (ora ING-INF/01) presso l’Università di Padova2002 Professore Associato SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova2011 Professore Straordinario SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova2013 Professore Ordinario SSD ING-INF/01 presso Univ. Padova2013 IEEE Fellow classe 2013 con la citazione "for contributions to the reliability physics of compound semiconductors devices"2014 – 2018 Vice Direttore del DEI 2018 – oggi Direttore del dipartimento di Ingegneria dell’informazione dell’Università di Padova Dal 1992 ad oggi svolge attività di ricerca nell’ambito dello studioaffidabilistico e caratterizzazione Di Dispositivi elettronici ed optoelettronici per la microelettronica (in particolare su dispositivi and ampio energy gap, quali Gallium Ntride e Siclicon carbide). COORDINAMENTO DI PROGETTI DI RICERCA:Gaudenzio Meneghesso dal 1999 ad oggi è stato responsabile di numerosi (32) progetti e contratti di ricerca che hanno accumulato un Finanziamento complessivo di oltre un sei milioni di Euro. Tra i progetti più rilevanti: •E’ attualmente il coordinatore di un progetto Europeo (H2020): InRel-NPower, Innovative Reliable Nitride based Power Devices and Applications H2020-NMBP-2016-2017/H2020-NMBP-2016-two-stage Grant Agreement No. 720527, Total Funding: 7.19M Euro, http://www.inrel-npower.eu/•E stato Responsabile per il DEI di tre progetti STREP della Comunità Europea: “HYPHEN, “AL-IN-WON” “HIPOSWITCH2 •E stato responsabile e coordinatore scientifico di numerosi contratti e/o progetti di ricerca con prestigiose Aziende: Nippon Telegraph and Telephony (NTT): Austria Mikro Sisteme (Graz - Austria), Matsushita (Panasonic, Giappone), Universal Display Corp. USA, STMicroelectronics (Milano), Infineon (Austria). Responsabile di Progetti finanziati Dall’Ateneo di Padova e dal MIUR (PRIN). PUBBLICAZIONI:I risultati delle attività di ricerca, iniziate nel 1992, sono stati presentati/pubblicati (o in corso di pubblicazione/presentazione) in più di 800 articoli di cui: più di 300 su riviste internazionali con referee e più di 500 a conferenze internazionali con referee (tra cui: più di 100 Invited Papers e 12 “Best Paper Award”). E’ inoltre coautore di 7 capitolo di libro. Infine Gaudenzio Meneghesso è Coautore di 4 brevetti. Dal 2003 ad oggi Responsabile scientifico (Tutor) di 21 tesi di Dottorato di Ricerca relativamente alle tematiche di Ingegneria dell'Informazione.INDICI BIBLIOMETRICI (Aggiornato ad Aprile 2018)Scopus: Documenti: 504 Tot. Citations: 6519 h-index: 40Google Scholar: Documenti: 663, Tot. Citations 9000, h-index: 45E’ Revisore di numerose riviste internazionaliE’ stato General Chair di 5 conferenze internazionali (WOCSDICE 2007, HETECH 2008, ESREF 2012, WOCSEMMAD 2013), TWHM 2013 (in Giappone), e ESSDERC/ESSCIRC 2014 (a Venezia)Ha contribuito diversi anni a due importanti conferenze della IEEE: IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) e la IEEE International Reliability Physics Sumposium.More details can be found here: http://www.meneghesso.it ..

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Lista delle pubblicazioni maggiormente citate (al 01 Agosto 2023):

H. Amano, Y. Baines, E. Beam, M. Borga, T. Bouchet, ….. G. Meneghesso, …., Y. Zhang, “The 2018 GaN power electronics roadmap”, TOPICAL REVIEW, J. Phys. D: Appl. Phys. 51 (2018) 163001, Title of contribution: “Reliability of GaN power devices: normally-on and normally-off”, pp.18-20, ISSN: 00223727, doi: 10.1088/1361-6463/aaaf9d Cited 747 times.

Meneghesso, G., Verzellesi, G., Danesin, F., Rampazzo, F., Zanon, F., Tazzoli, A., Meneghini, M., Zanoni, E., Reliability of GaN high-electron-mobility transistors: State of the art and perspectives, (2008) IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 8 (2), art. no. 4497830, pp. 332-343. DOI: 10.1109/TDMR.2008.923743 Cited 536 times.

Verzellesi, G., Saguatti, D., Meneghini, M., Bertazzi, F., Goano, M., Meneghesso, G., Zanoni, E., Efficiency droop in InGaN/GaN blue light-emitting diodes: Physical mechanisms and remedies, (2013) Journal of Applied Physics, 114 (7), 071101, DOI: 10.1063/1.4816434, Cited 353 times.

Bisi, D., Meneghini, M., De Santi, C., Chini, A., Dammann, M., Bruckner, P., Mikulla, M., Meneghesso, G., Zanoni, E. Deep-level characterization in GaN HEMTs-Part I: Advantages and limitations of drain current transient measurements (2013) IEEE Transactions on Electron Devices, 60 (10), art. no. 6605590, pp. 3166-3175. DOI: 10.1109/TED.2013.2279021, Cited 303 times.

Meneghesso, G., Verzellesi, G., Pierobon, R., Rampazzo, F., Chini, A., Mishra, U.K., Canali, C., Zanoni, E., Surface-related drain current dispersion effects in AlGaN-GaN HEMTs, (2004) IEEE Transactions on Electron Devices, 51 (10), pp. 1554-1561. DOI: 10.1109/TED.2004.835025, Cited 280 times.

Meneghini, M., Trevisanello, L.-R., Meneghesso, G., Zanoni, E. A review on the reliability of GaN-based LEDs, (2008) IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 8 (2), art. no. 4539822, pp. 323-331. DOI: 10.1109/TDMR.2008.921527, Cited 250 times.

Meneghini, M., Tazzoli, A., Mura, G., Meneghesso, G., Zanoni, E., A review on the physical mechanisms that limit the reliability of GaN-based LEDs, (2010) IEEE Transactions on Electron Devices, 57 (1), art. no. 5332356, pp. 108-118. DOI: 10.1109/TED.2009.2033649, Cited 239 times.

Trevisanello, L., Meneghini, M., Mura, G., Vanzi, M., Pavesi, M., Meneghesso, G., Zanoni, E., Accelerated life test of high brightness light emitting diodes, (2008) IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 8 (2), art. no. 4472171, pp. 304-311. DOI: 10.1109/TDMR.2008.919596, Cited 154 times.

Meneghesso, G., Rampazzo, F., Kordoš, P., Verzellesi, G., Zanoni, E., Current collapse and high-electric-field reliability of unpassivated GaN/AlGaN/GaN HEMTs, (2006) IEEE Transactions on Electron Devices, 53 (12), pp. 2932-2940. DOI: 10.1109/TED.2006.885681, Cited 153 times.

Faqir, M., Verzellesi, G., Meneghesso, G., Zanoni, E., Fantini, F., Investigation of high-electric-field degradation effects in AlGaN/GaN HEMTs, (2008) IEEE Transactions on Electron Devices, 55 (7), pp. 1592-1602. DOI: 10.1109/TED.2008.924437, Cited 120 times.

Tesi proposte:

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